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Si4933DY
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
0.030
6000
0.025
0.020
V GS = 1.8 V
5000
4000
C iss
0.015
V GS = 2.5 V
3000
0.010
V GS = 4.5 V
2000
C oss
0.005
0.000
1000
0
C rss
0
6
12
18
24
30
0
2
4
6
8
10
12
5
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current
1.6
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
4
3
2
1
0
V DS = 6 V
I D = 9.8 A
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
V GS = 4.5 V
I D = 9.8 A
0
10
20
30
40
50
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
30
10
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
T J = 150 ° C
0.030
0.025
0.020
T J - Junction Temperature ( ° C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
I D = 3 A
I D = 9.8 A
0.015
T J = 25 ° C
0.010
0.005
1
0.000
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0
1
2
3
4
5
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
Document Number: 71980
S09-0867-Rev. D, 18-May-09
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
www.vishay.com
3
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